Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN6075S-7
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN6075S
DMN6075S-7 Hakkında
DMN6075S-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilim dayanımı ve 2A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, kontrol devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. 85mΩ maksimum RDS(On) değeri ile verimli iletim sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 800mW güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. Gate kapasitesi (Ciss) 606pF, Gate yükü 12.3nC olup hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 606 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 800mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 3.2A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok