Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN6070SY-13
MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-243AA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN6070SY
DMN6070SY-13 Hakkında
DMN6070SY-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 4.1A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. RDS(on) değeri 85mOhm (10V, 2.5A koşullarında) olup, düşük on-direnç uygulamalar için uygun bir seçimdir. SOT-89-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen DMN6070SY-13, 2.1W maksimum güç dağıtımı kapasitesine ve 12.3nC gate charge değerine sahiptir. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş bir kontrol voltaj aralığını destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 588 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-89-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok