Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN6069SFGQ-7
MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN6069
DMN6069SFGQ-7 Hakkında
DMN6069SFGQ-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajında 18A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate voltajında 50mOhm RDS(on) değeri ile düşük on-state direncine sahiptir. PowerDI3333-8 yüzeye monte paketinde sunulan bu transistör, güç dönüştürme devrelerinde, motor kontrolünde ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 2.4W maksimum güç dağıtabilir. 25 nC gate charge ile hızlı anahtarlama sağlar ve çeşitli endüstriyel ve tüketici uygulamalarında uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1480 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerDI3333-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok