Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMN6069SFG-7

MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
DMN6069SFG

DMN6069SFG-7 Hakkında

DMN6069SFG-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim kapasitesiyle tasarlanan bu bileşen, 5.6A sürekli drain akımı sağlar ve 50mΩ maksimum Rds(On) değerine sahiptir. PowerDI3333-8 yüzey montajlı paketinde sunulan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışır. 4.5V ile 10V arasında gate sürüş gerilimi gerektiren bu MOSFET, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Düşük kapı yükü (25nC) ve optimized Rds(On) karakteristiği ile verimli anahtarlama sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.6A (Ta), 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1480 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 930mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package PowerDI3333-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok