Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN6069SE-13
MOSFET N-CH 60V 4.3A/10A SOT223
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN6069SE
DMN6069SE-13 Hakkında
DMN6069SE-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 10A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve motor kontrol devrelerinde kullanılır. SOT-223 yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 69mΩ maksimum on-direnci ve 16nC gate yükü ile verimli komütasyon sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A (Ta), 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 825 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 69mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok