Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN6013LFGQ-13
MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN6013LFGQ
DMN6013LFGQ-13 Hakkında
DMN6013LFGQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim ve 10.3A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 13mΩ maksimum RDS(ON) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. PowerDI3333-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel uygulamalar, güç yönetimi devreleri, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir ve 1W maksimum güç tüketimi özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.3A (Ta), 45A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2577 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerDI3333-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok