Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN5L06KQ-7
MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN5L06KQ
DMN5L06KQ-7 Hakkında
DMN5L06KQ-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 50V drain-source voltajına ve 300mA sürekli dren akımına sahip bu bileşen, SOT-23 yüzey montaj paketi içerisinde sunulmaktadır. 2Ohm maksimum RDS(on) değeri ve 1V gate-source eşik voltajı ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. -65°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 350mW güç dissipasyonuna sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, küçük sinyalle kontrol edilen yükler, düşük voltaj DC-DC dönüştürücüler ve genel amaçlı dijital devreler için tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 350mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 50mA, 5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok