Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN55D0UTQ-7
MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- SOT-523
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN55D0UTQ
DMN55D0UTQ-7 Hakkında
DMN55D0UTQ-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 50V drain-source gerilimi ve 160mA sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. SOT-523 yüzey montajlı paketde sunulan bu transistör, 4Ω maksimum Rds(on) değeri ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yer alır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. Mobil cihazlar, enerji yönetimi, sensör arayüzleri ve düşük güçlü dijital devreler gibi uygulamalarda tercih edilir. Maksimum ±12V gate gerilimi ile kontrol edilebilir ve 200mW güç disipasyonuna sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 160mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 25 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-523 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 200mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 100mA, 4V |
| Supplier Device Package | SOT-523 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok