Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMN53D0LQ-7

MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DMN53D0LQ

DMN53D0LQ-7 Hakkında

DMN53D0LQ-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 50V Drain-Source gerilim ve 500mA sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 1.6Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulur. Gümrük kapısı voltajı ±20V ile çalışır ve -55°C ile 150°C arasında işletme sıcaklığında stabil performans gösterir. Düşük gate charge (0.6nC) sayesinde hızlı komütasyon özelliğine sahiptir. Tüketici elektroniği, AC-DC dönüştürücüler, LED sürücüleri ve genel amaçlı anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 46 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 370mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok