Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN53D0LQ-13
MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN53D0LQ
DMN53D0LQ-13 Hakkında
DMN53D0LQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 50V drain-source gerilimi ve 500mA sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. SOT-23-3 (TO-236) paketinde sunulan bu bileşen, 10V kapı geriliminde 1.6Ω maksimum Rds(on) değerine sahiptir. Kapı eşik gerilimi 1.5V olup, düşük gate charge (0.6nC) sayesinde hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, kontrol devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve düşük güç elektronik sistemlerinde kullanılır. 370mW maksimum güç tüketimi ile kompakt tasarımlara uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 46 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 370mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok