Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN4800LSSQ-13
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SO
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN4800
DMN4800LSSQ-13 Hakkında
DMN4800LSSQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 8.6A sürekli drain akımı ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 8SO yüzey montajlı paket ile küçük alan gerektiren devrelerde tercih edilir. RDS(on) değeri 10V gate geriliminde 14mΩ'dur. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. Motor kontrolleri, güç kaynakları, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 798 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.46W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok