Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMN4010LFG-13

MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
DMN4010LFG

DMN4010LFG-13 Hakkında

DMN4010LFG-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 11.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük voltaj uygulamalarında güç anahtarlaması ve kontrol işlevleri için tasarlanmıştır. 12mΩ maksimum Rds(on) değeri ile verimli enerji yönetimi sağlar. PowerDI3333-8 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara entegre edilebilir. Anahtarlama hızı ve düşük ısı üretimi özellikleri ile mobil şarj cihazları, güç dağıtım modülleri, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1810 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 930mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 14A, 10V
Supplier Device Package PowerDI3333-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok