Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMN4009LK3-13

MOSFET N-CH 40V 18A TO252-3

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
DMN4009LK3

DMN4009LK3-13 Hakkında

DMN4009LK3-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V Drain-Source gerilimi ve 18A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 8.5mΩ maksimum RDS(on) değeri sayesinde düşük ısıl kayıpla çalışır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol sistemleri ve enerji dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılmaktadır. ±20V gate gerilimi aralığında çalışabilir ve -55°C ile 150°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında stabil performans sunar. Komponentin obsolete statüsü nedeniyle yeni tasarımlarda alternatif seçenekler değerlendirilmelidir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2072 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.19W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 14A, 10V
Supplier Device Package TO-252-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok