Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN3900UFA-7B
MOSFET N-CH 30V 550MA 3DFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN3900UFA
DMN3900UFA-7B Hakkında
DMN3900UFA-7B, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 550mA sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 760mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 3-pin X2-DFN0806-3 (3DFN) yüzey montaj paketinde sunulur. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışır. Düşük gate charge (0.7nC) ve düşük input kapasitans (42.2pF) değerleri hızlı anahtarlama ve düşük enerji kaybı sağlar. Mobil cihazlar, pil yönetimi, LED sürücüler ve düşük güçlü DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 550mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.7 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 42.2 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 390mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 760mOhm @ 200mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | X2-DFN0806-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok