Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMN3731UFB4-7B

MOSFET N-CH 30V 1.2A 3DFN

Paket/Kılıf
3-XFDFN
Seri / Aile Numarası
DMN3731

DMN3731UFB4-7B Hakkında

DMN3731UFB4-7B, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında 1.2A sürekli akım kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 460mOhm maksimum on-resistance (4.5V gate voltajında) ile verimli anahtarlama sağlar. 3-XFDFN yüzey monte paketi sayesinde kompakt tasarımlara uygun, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Mobil cihazlar, USB arayüzleri, batarya yönetimi ve düşük voltaj DC-DC dönüştürücülerde kullanılan entry-level MOSFET çözümüdür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 73 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 3-XFDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 520mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Supplier Device Package X2-DFN1006-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 0.95V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok