Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN3730UFB4-7
MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN3730UFB4
DMN3730UFB4-7 Hakkında
DMN3730UFB4-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ile 750mA sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 3-XFDFN yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, düşük güç uygulamalarında anahtar ve amplifikasyon görevlerini yerine getirir. 4.5V kapı geriliminde 460mOhm maksimum Rds(on) değeri ile verimli işletme sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol, güç yönetimi ve sinyal işleme devrelerde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 750mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.6 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 64.3 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 470mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 460mOhm @ 200mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | X2-DFN1006-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok