Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN33D8LTQ-7
MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- SOT-523
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN33D8LTQ
DMN33D8LTQ-7 Hakkında
DMN33D8LTQ-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ve 115mA sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. SOT-523 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uygun bir çözümdür. 5Ω maksimum kapalı durum direnci (Rds On), hızlı anahtarlama ve düşük enerji kaybı sağlar. Gümrük kapıları, sinyal anahtarlama, güç yönetimi ve batarya koruması gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında stabil çalışma sağlayan geniş sıcaklık aralığı endüstriyel ve tüketici elektroniği ürünlerinde kullanımını mümkün kılar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 115mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.55 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 48 pF @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-523 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 240mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 10mA, 4V |
| Supplier Device Package | SOT-523 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok