Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN33D8LTQ-13
MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- SOT-523
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN33D8LTQ
DMN33D8LTQ-13 Hakkında
DMN33D8LTQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Vdss ile tasarlanan bu bileşen, 115mA sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. SOT-523 yüzey montajlı paket ile sunulan transistör, düşük güç uygulamalarında kullanılmak üzere optimize edilmiştir. 5Ω maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama devrelerinde, logic seviyesi sürücülerinde ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Kompakt boyutu ve düşük kapasitanslı giriş (48pF @ 5V) hızlı anahtarlama gerektiren taşınabilir cihazlar ve IoT uygulamalarında kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 115mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.55 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 48 pF @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-523 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 240mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 10mA, 4V |
| Supplier Device Package | SOT-523 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok