Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMN33D8LT-13

MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523

Paket/Kılıf
SOT-523
Seri / Aile Numarası
DMN33D8LT

DMN33D8LT-13 Hakkında

DMN33D8LT-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim ve 115mA sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 4V gate geriliminde maksimum 5Ohm on-resistance değerine sahiptir. SOT-523 surface mount paketinde sunulan bu bileşen, gömülü sistemler, IoT cihazları, anahtarlama devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 240mW güç tüketebilir. Düşük gate yükü (0.55nC) ve düşük input kapasitesi (48pF) ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 115mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 48 pF @ 5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-523
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 240mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 10mA, 4V
Supplier Device Package SOT-523
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok