Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN32D2LFB4-7
MOSFET N-CH 30V 300MA 3DFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN32D2LFB4
DMN32D2LFB4-7 Hakkında
DMN32D2LFB4-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ve 300mA sürekli drain akımı (Id) kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 1.2Ohm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Surface mount 3-XFDFN (X2-DFN1006-3) pakete sahip olan bu bileşen, gümrük kapısı eşik gerilimi (Vgs(th)) 1.2V @ 250µA'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. 350mW maksimum güç tüketimi ile mobil cihazlar, IoT modülleri, düşük voltaj güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 39 pF @ 3 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 350mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 100mA, 4V |
| Supplier Device Package | X2-DFN1006-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok