Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN3112S-7
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN3112S
DMN3112S-7 Hakkında
DMN3112S-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 5.8A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük on-state direnci (57mOhm @ 10V) ile verimli güç anahtarlaması sağlar. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan komponent, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve düşük güçlü LED sürücülerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ile endüstriyel uygulamalara uygundur. 1.4W güç yayılması kapasitesi ile kompakt tasarımlar gerçekleştirilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 268 pF @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.4W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57mOhm @ 5.8A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok