Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN3110LCP3-7
MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN3110
DMN3110LCP3-7 Hakkında
DMN3110LCP3-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilimi ve 3.2A sürekli dren akımı kapasitesiyle düşük güç uygulamalarında kullanılır. 69mOhm on-resistance değeri ile anahtarlama devreleri, güç yönetimi ve motor kontrolü gibi uygulamalarda tercih edilir. 3-XFDFN yüzey montaj paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uygun, -55°C ile 150°C arasında çalışır. 1.38W güç dağıtım kapasitesi, IoT cihazları, batarya yönetimi ve embedded sistemlerde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 8V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.52 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 1.38W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 69mOhm @ 500mA, 8V |
| Supplier Device Package | X2-DFN1006-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | 12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok