Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN30H4D1S-7
MOSFET N-CH 300V 430MA SOT23
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN30H4D1S
DMN30H4D1S-7 Hakkında
DMN30H4D1S-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 300V drain-source gerilimi ve 430mA sürekli akım kapasitesiyle düşük ve orta güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate geriliminde 4Ω RDS(on) değeriyle, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve LED sürücü uygulamalarında tercih edilir. SOT-23-3 paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışır ve geniş sıcaklık aralığında stabil performans sağlar. 4.8nC gate charge ve düşük input capacitance ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 430mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 174 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 300mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok