Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN30H4D1S-13
MOSFET N-CH 300V 430MA SOT23
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN30H4D1S
DMN30H4D1S-13 Hakkında
DMN30H4D1S-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 300V drain-source voltaj ve 430mA sürekli akım kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 4Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel sürücü devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 360mW güç dağılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 430mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 174 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 300mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok