Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN30H4D0LFDE-13
MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 6-PowerUDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN30H4D0LFDE
DMN30H4D0LFDE-13 Hakkında
DMN30H4D0LFDE-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 300V drain-source voltajı ve 550mA sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 6-PowerUDFN yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 4Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu FET, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor sürücüler ve DC-DC dönüştürücülerde uygulanır. Düşük gate yükü (7.6nC) ve kompakt boyutu, yüksek frekans anahtarlama uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 550mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 187.3 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-PowerUDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 630mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 300mA, 10V |
| Supplier Device Package | U-DFN2020-6 (Type E) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok