Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMN30H4D0L-7

MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DMN30H4D0L

DMN30H4D0L-7 Hakkında

DMN30H4D0L-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 300V drain-source geriliminde 250mA sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama ve güç kontrolü görevleri için tasarlanmıştır. SOT-23-3 paket içinde sunulan transistör, 4Ω maksimum kanal direnci (RDS On) ile verimli çalışır. ±20V kapı gerilim aralığında çalışabilir ve -55°C ile 150°C arasında güvenilir işletme sunar. AC-DC konverterler, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve gerilim düzenleyiciler gibi uygulamalarda kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 250mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 187.3 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 310mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 300mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok