Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN30H4D0L-13
MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN30H4D0L
DMN30H4D0L-13 Hakkında
DMN30H4D0L-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 300V drain-source gerilimi ve 250mA sürekli dren akımı ile orta voltaj uygulamalarında kullanılır. SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (10V gate geriliminde 4Ω) ile enerji kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor sürücüleri ve genel amaçlı lojik uygulamalarında kullanılır. 7.6nC gate charge ve düşük input kapasitansı ile hızlı anahtarlamayı destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 250mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 187.3 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 310mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 300mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok