Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMN3071LFR4-7

MOSFET N-CH 30V 3.4A 3DFN

Paket/Kılıf
3-XFDFN
Seri / Aile Numarası
DMN3071LFR4

DMN3071LFR4-7 Hakkında

DMN3071LFR4-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 3.4A sürekli drain akımı ile çalışır. 65mOhm maksimum on-resistance (Rds On) değerine sahip olup, 10V gate geriliminde optimize edilmiştir. 3-XFDFN (X2-DFN1010-3) yüzey montajlı paket içinde sunulur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 500mW güç tüketebilir. Düşük gate charge (4.5nC @ 10V) ve düşük input capacitance (190pF @ 15V) özellikleri hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. Anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 190 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 3-XFDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 500mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 3.2A, 10V
Supplier Device Package X2-DFN1010-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok