Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN3070SSN-7
MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN3070SSN
DMN3070SSN-7 Hakkında
DMN3070SSN-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 4.2A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 40mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. SC-59 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, LED sürücüleri, güç yönetimi ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 780mW güç dağılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 697 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 780mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 4.2A, 10V |
| Supplier Device Package | SC-59-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok