Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN3060LCA3-7
MOSFET N-CH 30V 3.9A X4DSN1006-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN3060LCA3
DMN3060LCA3-7 Hakkında
DMN3060LCA3-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 3.9A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 60mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Surface mount X4-DSN1006-3 paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Mobil cihazlar, güç yönetimi devreleri, anahtarlama uygulamaları ve düşük voltaj motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Düşük kapı yükü (1.677nC) hızlı komütasyon ve düşük sürücü güç gereksinimi sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 8V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.677 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 192 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 790mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 500mA, 8V |
| Supplier Device Package | X4-DSN1006-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok