Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMN3033LDM-7

MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26

Paket/Kılıf
SOT-23-6
Seri / Aile Numarası
DMN3033LDM

DMN3033LDM-7 Hakkında

DMN3033LDM-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi, 6.9A sürekli dren akımı ve 33mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlayan bir anahtarlama elemanıdır. SOT-23-6 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 2W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen transistör, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında güç yönetimi, motor kontrolü, LED sürücüsü ve anahtarlama devreleri gibi alanlarda kullanılır. 13nC gate charge ve 755pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 755 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 6.9A, 10V
Supplier Device Package SOT-26
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok