Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN3032LE-13
MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN3032LE
DMN3032LE-13 Hakkında
DMN3032LE-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 5.6A sürekli drain akımı kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 29mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. SOT-223 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, LED sürücüleri ve dc-dc dönüştürücüleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, güvenilir komütasyon performansı ve kompakt boyutu ile entegre tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 498 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 3.2A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok