Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN3028LQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V,SOT23,T&R,
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN3028LQ
DMN3028LQ-7 Hakkında
DMN3028LQ-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi (VDSS) ve 6.2A sürekli dren akımı kapasitesi ile kompakt uygulamalar için tasarlanmıştır. 25mΩ maksimum on-state direnci (10V gate geriliminde) düşük güç kaybı sağlar. SOT-23-3 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen DMN3028LQ-7, hassas akım kontrolü gerektiren endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 680 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 860mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok