Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN3026LVTQ-13
MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN3026LVT
DMN3026LVTQ-13 Hakkında
DMN3026LVTQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET'tir. 30V drain-source gerilimi ile 6.6A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu transistör, 23mΩ maksimum on-direnci (10V gate geriliminde) ile düşük kayıp uygulamalar için tasarlanmıştır. SOT-23-6 paketlemesi ile küçük alanlı uygulamalara uygundur. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Switch, amplifikasyon ve güç yönetimi devrelerinde, özellikle batarya yönetim sistemleri, DC-DC konvertörler, motor sürücüleri ve yük anahtarlaması uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 643 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TSOT-23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok