Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMN3025LSS-13

MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
DMN3025LSS

DMN3025LSS-13 Hakkında

DMN3025LSS-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 7.2A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 8-SO yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 20mΩ on-direnci ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ile çeşitli endüstriyel ve tüketici ürünleri tasarımlarına uygun bir seçenektir. ±20V maksimum gate-source gerilimi ve 2V threshold voltajı ile kontrollü anahtarlama işlemleri gerçekleştirilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 641 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok