Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN3025LFDF-7
MOSFET N-CH 30V 9.9A 6UDFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN3025LFDF
DMN3025LFDF-7 Hakkında
DMN3025LFDF-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 9.9A sürekli drain akımı kapasitesiyle düşük güç uygulamalarında anahtar görevi üstlenir. 20.5mOhm maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. 6-UDFN yüzeye monte paket içinde sunulan bu bileşen, PWM kontrolörler, anahtarlamalı güç kaynakları, motor sürücüleri ve ters polarite koruması gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 641 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20.5mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | U-DFN2020-6 (Type F) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok