Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMN3025LFDF-13

MOSFET N-CH 30V 9.9A 6UDFN

Paket/Kılıf
6-UDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
DMN3025

DMN3025LFDF-13 Hakkında

DMN3025LFDF-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 9.9A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama ve yönetim uygulamalarında kullanılır. 20.5mOhm on-direnç (10V gate voltajında, 7A'de) sayesinde düşük güç kaybı sağlar. 6-UDFN yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında çalışan bu transistör, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, yük anahtarlaması ve dijital mantık uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. ±20V maximum gate-source gerilimi ve 13.2nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 641 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-UDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20.5mOhm @ 7A, 10V
Supplier Device Package U-DFN2020-6 (Type F)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok