Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMN3023L-13

MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DMN3023L

DMN3023L-13 Hakkında

DMN3023L-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 6.2A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri gerçekleştirir. 25mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. SOT-23 paketindeki kompakt tasarımı sayesinde portable cihazlar, güç kaynakları, batarya yönetim sistemleri ve motor kontrol devrelerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 155°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı endüstriyel ve tüketici uygulamalarına uygunluğunu artırır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 873 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 155°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok