Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN3018SSS-13
MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN3018SSS
DMN3018SSS-13 Hakkında
DMN3018SSS-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 7.3A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 8-SO yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 21mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalar için uygundur. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetim sistemleri ve genel amaçlı DC anahtarlama işlemlerinde kullanılır. 13.2nC gate charge ve 697pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 697 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.4W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok