Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN3018SFGQ-7
MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN3018SFG
DMN3018SFGQ-7 Hakkında
DMN3018SFGQ-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 8.5A sürekli drain akımı ile çalışmaya tasarlanmıştır. PowerDI3333-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük 21mOhm on-resistance değeri sayesinde enerji verimliliği gerektiren uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında stabil çalışır. Motor kontrolü, anahtarlama devreleri, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 697 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerDI3333-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok