Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMN3018SFG-13

MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
DMN3018SFG

DMN3018SFG-13 Hakkında

DMN3018SFG-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim, 8.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. Düşük RDS(on) değeri (21mOhm @ 10V, 10A) sayesinde ısı kaybı ve güç tüketimini minimize eder. PowerDI3333-8 yüzey montajlı paket formatında sunulur. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılmaya uygundur. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 697 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package PowerDI3333-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok