Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMN3016LSS-13

MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
DMN3016LSS

DMN3016LSS-13 Hakkında

DMN3016LSS-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET'tir. 30V drain-source gerilimi ve 10.3A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi, motor kontrol ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-SO yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, 12mOhm maksimum on-direnç (@10V, 12A) ile verimli enerji iletimini sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 150°C) ve düşük kapı yükü (25.1nC @10V) sayesinde hızlı anahtarlama ve kontrol devreleri tasarımında tercih edilir. Güç kaybı 1.5W ile sınırlı olup, düşük ısı yönetimi gereksinimleri olan kompakt uygulamalar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1415 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok