Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN3016LK3-13
MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN3016LK
DMN3016LK3-13 Hakkında
DMN3016LK3-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 12.4A sürekli dren akımı kapasitesiyle, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 12mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük ısı kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında, güç kaynakları, motor kontrolü, DC-DC konvertörleri ve yük anahtarlama devrelerinde kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1415 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok