Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMN3016LFDF-7

MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN

Paket/Kılıf
6-UDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
DMN3016LFDF

DMN3016LFDF-7 Hakkında

DMN3016LFDF-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 6-UDFN yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Maksimum 12mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlayan bu FET, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Motor sürücüleri, güç kaynakları, batarya yönetim sistemleri ve DC-DC dönüştürücüleri gibi endüstriyel elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, 2.02W maksimum güç saçılımı ile karakterizedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1415 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-UDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.02W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package U-DFN2020-6 (Type F)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok