Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMN3016LFDF-13

MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN

Paket/Kılıf
6-UDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
DMN3016LFDF

DMN3016LFDF-13 Hakkında

DMN3016LFDF-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim kapasitesi ile 12A sürekli drenaj akımını kaldırabilir. 6-UDFN yüzey monte paketinde sunulan bu FET, 12mΩ (10V, 11A) düşük on-direnci ile güç uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında güvenilir işletme sağlayan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, DC/DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak kullanılır. 2.02W maksimum güç dağılımı ve 25.1nC gate charge özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1415 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-UDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.02W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package U-DFN2020-6 (Type F)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok