Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMN3016LFDE-13

MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN

Paket/Kılıf
6-PowerUDFN
Seri / Aile Numarası
DMN3016LFDE

DMN3016LFDE-13 Hakkında

DMN3016LFDE-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 12mOhm (10V Vgs'de) düşük on-direnci sayesinde ısıl kayıplar minimize edilir. 6-PowerUDFN yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, motor kontrolü, DC/DC dönüştürücüler, güç yönetimi ve yük anahtarlaması gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. 25.1nC gate charge ve 1415pF input kapasitansı hızlı anahtarlama işlemlerine olanak tanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1415 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-PowerUDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 730mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package U-DFN2020-6 (Type E)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok