Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMN3010LK3-13

MOSFET N-CH 30V 13.1A/43A TO252

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
DMN3010LK3

DMN3010LK3-13 Hakkında

DMN3010LK3-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 13.1A sürekli drain akımı (Ta) ile 43A (Tc) kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 9.5mOhm maksimum Rds(On) değeri düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. 4.5V ve 10V gate sürücü seviyeleri için optimize edilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13.1A (Ta), 43A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2075 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 18A, 10V
Supplier Device Package TO-252-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok