Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN3009SFGQ-13
MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN3009SFGQ
DMN3009SFGQ-13 Hakkında
DMN3009SFGQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 16A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 5.5mΩ (10V, 20A koşullarında) on-state direnci düşük güç kaybı sağlar. PowerDI3333-8 yüzey montajlı paket içinde sunulur ve -55°C ile +150°C arasında çalışır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve motor sürücülerinde kullanılır. 2.5V kapı eşik gerilimi ve 42nC kapı yükü ile hızlı komütasyon sağlar. 900mW maksimum güç tüketimi ve düşük giriş kapasitansı (2000pF @ 15V) ile verimli tasarımlar gerçekleştirilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Ta), 45A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 900mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerDI3333-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok