Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMN3009LFVW-13

MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
DMN3009LFV

DMN3009LFVW-13 Hakkında

DMN3009LFVW-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 60A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 5mΩ tipik On-direnci ile düşük güç kaybı sağlar. PowerDI3333 paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları ve enerji dönüştürme sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve yüzey montaj teknolojisi ile uyumludur. 2.5V eşik gerilimi ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok