Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMN3009LFV-13

MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
DMN3009LFV

DMN3009LFV-13 Hakkında

DMN3009LFV-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 60A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük on-direnç (5.5mOhm @ 10V) ile yüksek verimlilik sağlar. PowerDI3333-8 yüzey montajlı paketinde sunulan DMN3009LFV-13, güç dönüştürme devreleri, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. ±20V maksimum gate gerilimi ve 42nC gate charge karakteristiği hızlı anahtarlama sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package PowerDI3333-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok